投 1000 亿美元,英特尔要在美国扩建或新建半导体工厂:最快 2027 年投产

1个月前 (03-25) 0 点赞 0 收藏 0 评论 15 已阅读

3 月 22 日消息,英特尔公司在获得 195 亿美元联邦拨款和贷款之后,该公司的首席执行官基辛格近日在接受采访时再次强调,未来几年将投资 1000 亿美元(当前约 7210 亿元人民币),在美国 4 个州扩建或者新建半导体工厂。

图源:Intel

基辛格表示英特尔公司的目标,是将俄亥俄州哥伦布市附近的空地,改造成“全球最大的人工智能芯片制造基地”,并最快 2027 年开始投产。

除了俄亥俄州之外,英特尔还计划在新墨西哥州、俄勒冈州和亚利桑那州扩建和新建工厂,并计划向美国政府申请 250 亿美元(备注:当前约 1802.5 亿元人民币)的税收优惠支持。

基辛格在采访中表示在千亿美元投资中,约 30% 的投资将用于建设成本,包括劳动力、管道和混凝土;其余部分将用于购置来自 ASML、东京电子、应用材料、KLA 和其他公司开发的新型先进芯片制造设备。

基辛格表示大部分新购置的制造工具将先运往俄亥俄州的工厂,并将于 2027 年或 2028 年开始生产新芯片。

基辛格坦言俄亥俄州工厂目前没有设置固定的时间表,会根据市场情况或芯片支出的趋势而进行动态调整,其中联邦补贴和低息贷款对于推进该计划至关重要,但英特尔也会积极为新工厂提供自有资金和现金流。


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