三星宣布完成 16 层混合键合堆叠工艺技术验证,有望在 HBM4 内存大面积应用
1个月前 (04-07)
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4 月 7 日消息,综合韩媒 The Elec 和 ETNews 报道,三星电子先进封装团队高管 Dae Woo Kim 在 2024 年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用 16 层混合键合 HBM 内存技术验证。
Dae Woo Kim 表示,三星电子成功制造了基于混合键合技术的 16 层堆叠 HBM3 内存,该内存样品工作正常,未来 16 层堆叠混合键合技术将用于 HBM4 内存量产。
▲ 图源 The Elec,下同
相较现有键合工艺,混合键合无需在 DRAM 内存层间添加凸块,而是将上下两层直接铜对铜连接,可显著提高信号传输速率,更适应 AI 计算对高带宽的需求。
混合键合还可降低 DRAM 层间距,进而减少 HMB 模块整体高度,但也面临成熟度不足,应用成本昂贵的问题。
三星电子在 HBM4 内存键合技术方面采用两条腿走路的策略,同步开发混合键合和传统的 TC-NCF 工艺。
结合下方图片和以往报道,HBM4 的模块高度限制将放宽到 775 微米,有利于继续使用 TC-NCF。
三星正努力降低 TC-NCF 工艺的晶圆间隙,目标在 HBM4 中将这一高度缩减至 7.0 微米以内。
不过 TC-NCF 技术也面临着质疑。Dae Woo Kim 回击称三星电子的方案相较竞争对手 SK 海力士的 MR-RUF 更适合 12 层乃至 16 层的高堆叠模块。
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