三星电子获美国至多 64 亿美元补贴，将在得克萨斯州建设 2nm 晶圆厂

4 月 15 日消息，美国政府今日宣布将向三星电子提供至多价值 64 亿美元（备注：当前约 464.64 亿元人民币）的补贴，而三星电子将在得克萨斯州投资超过 400 亿美元，建设包括 2nm 晶圆厂在内的一系列半导体项目。

与台积电一样，三星电子此次同美国政府签订的是不具约束力的初步备忘录。

三星电子将在得克萨斯州的两个地点建立一个半导体生态集群，包括：

在泰勒市的两座先进逻辑代工厂，分别为 4nm 和 2nm 制程；

在泰勒市的一座先进制程研发设施；

在泰勒市的一座先进封装工厂，可进行 3D HBM 内存的生产和 2.5D 封装；

在奥斯汀扩建现有半导体设施，扩大 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）工艺产能。

三星电子此次投资将在未来 5 年为美国创造超过 17000 个建筑行业工作岗位和 4500 多个高薪制造业工作岗位。

作为配套，美国政府还将通过《芯片法案》提供 4000 万美元（当前约 2.9 亿元人民币）的当地劳动力培训发展资金。

三星电子 DS 事业部总裁庆桂显表示：“我们不仅仅是在扩大生产设施：我们正在加强本地半导体生态系统，并将美国定位为全球半导体制造目的地。为了满足美国客户预期的需求激增，对于人工智能芯片等未来产品，我们的晶圆厂将配备尖端工艺技术，并帮助提高美国半导体供应链的安全性。”

本月早些时候，美国政府向台积电承诺了至多 66 亿美元直接补贴和约 50 亿美元的贷款。美国政府官方新闻稿和韩美两国媒体有关三星电子获得补贴报道中暂未提到贷款事宜。