消息称 SK 海力士 HBM4 内存基础裸片有望采用台积电 7nm 制程

4 月 23 日消息，韩媒 The Elec 在报道中表示，预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的基础裸片（Base Die）部分采用台积电 7nm 制程。

注：目前台积电 7nm 系产能大部分已迁移至 6nm 变体，因此韩媒的表达更适合作为“7nm 系”制程理解。

HBM 内存的基础裸片是 DRAM 堆叠的底座，同时也作为控制器负责同处理器进行通信。

SK 海力士上周同台积电签署了 HBM 内存合作谅解备忘录，双方的首个合作重点就是 HBM 基础逻辑芯片的性能改善。

SK 海力士此前在 HBM 产品中采用存储半导体工艺制造基础裸片；而在 HBM4 中，台积电将采用先进逻辑工艺为 SK 海力士代工，以实现更丰富的功能和更加优异的功效，有助于满足客户对定制化 HBM 的需求。

SK 海力士目标到 2026 年实现 HBM4 内存投产。

咨询机构 TrendForce 集邦咨询持有不同于 The Elec 的看法，其在去年 11 月认为 HBM4 的基础裸片将基于 12nm 工艺。