消息称三星计划量产的 1c DRAM 使用 MOR 光刻胶
2周前 (05-05)
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4 月 30 日消息,根据韩媒 TheElec 报道,三星正在考虑在其下一代 DRAM 极紫外(EUV)光刻工艺中应用金属氧化物抗蚀剂(MOR)。
注:MOR 被业内认为是下一代光刻胶(PR),会接棒目前先进芯片光刻中的化学放大胶(CAR)。CAR 在 PR 分辨率、抗蚀刻性和线边缘粗糙度方面已经无法完全满足未来光刻的需求。
三星正考虑在第 6 代 10 纳米 DRAM(1c DRAM)中使用 MOR,主要在六层或七层上使用 EUV PR,相关产品将于今年下半年投入生产。
消息称三星正计划向多家供应商采购 EUV MOR 光刻胶材料,除了 Inpria 之外杜邦、东进半导体、三星 SDI 等都在测试开发。
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