单片单向互连带宽最高 8×256Gb / s，国内首款 2Tb / s 三维集成硅光芯粒成功出样

5 月 10 日消息，国家信息光电子创新中心（NOEIC）公众号昨日发布博文，携手鹏城实验室组建光电融合联合团队，成功研制出国内首款 2Tb / s 硅光互连芯粒（chiplet），且在国内首次验证了 3D 硅基光电芯粒架构，实现了单片最高达 8×256Gb / s 的单向互连带宽。

2Tb / s 硅基 3D 集成光发射芯粒 图源：NOEIC

2Tb / s 硅基 3D 集成光接收芯粒 图源：NOEIC

该团队在 2021 年 1.6T 硅光互连芯片的基础上，进一步突破了光电协同设计仿真方法，研制出硅光配套的单路超 200G driver 和 TIA 芯片，并攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺技术，形成了一整套基于硅光芯片的 3D 芯粒集成方案。

硅光互连芯粒的侧向显微镜结构 图源：NOEIC

经系统传输测试，8 个通道在下一代光模块标准的 224Gb / s PAM4 光信号速率下，TDECQ 均在 2dB 以内。通过进一步链路均衡，最高可支持速率达 8×256Gb / s，单片单向互连带宽高达 2Tb / s。

8×224Gb / s 硅基光发射芯粒输出眼图 图源：NOEIC

成果将广泛应用于下一代算力系统和数据中心所需的 CPO、NPO、LPO、LRO 等各类光模块产品中，为国内信息光电子技术的率先突围探索出可行路径。

附上参考地址

重要进展｜首款 2Tb / s 三维集成硅光芯粒成功出样