消息称三星电子 8 层堆叠 HBM3E 内存尚未正式通过英伟达验证

2周前 (05-16) 0 点赞 0 收藏 0 评论 2 已阅读

5 月 13 日消息,韩媒 Alpha Biz 报道称,三星电子的 8 层堆叠(8Hi)HBM3E 内存尚未正式通过英伟达的测试,仍需进一步验证。

台积电不仅向英伟达提供先进 AI GPU 的代工,同时还负责 AI GPU 同 HBM 内存间的 CoWoS 先进封装,因此也是英伟达验证审核过程的重要参与者。

一位熟悉三星电子与英伟达间供应关系的消息人士向韩媒表示,三星电子 8Hi HBM3E 的验证流程就是卡在台积电审批环节。

这位消息人士宣称,三星产品未能通过测试的主要原因是台积电在检测中“采用了基于 SK 海力士 HBM3E 产品设定的检测标准”。

三星电子同 SK 海力士在 HBM3E 内存的工艺上存在不少差异,比如前者采用 TC-NCF (注:热压非导电薄膜)键合,后者采用 MR-RUF(批量回流模制底部填充),这必然会在一定程度上影响参数。

消息人士认为,如果针对三星电子产品的检测标准有所调整,那三星 HBM3E 内存通过英伟达的供应测试“不成问题”。

三星电子早前表示其 8Hi HBM3E 内存已于上月进入量产阶段,12Hi HBM3E 的量产也将在本季度达成。


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