消息称三星电子 8 层堆叠 HBM3E 内存尚未正式通过英伟达验证

5 月 13 日消息，韩媒 Alpha Biz 报道称，三星电子的 8 层堆叠（8Hi）HBM3E 内存尚未正式通过英伟达的测试，仍需进一步验证。

台积电不仅向英伟达提供先进 AI GPU 的代工，同时还负责 AI GPU 同 HBM 内存间的 CoWoS 先进封装，因此也是英伟达验证审核过程的重要参与者。

一位熟悉三星电子与英伟达间供应关系的消息人士向韩媒表示，三星电子 8Hi HBM3E 的验证流程就是卡在台积电审批环节。

这位消息人士宣称，三星产品未能通过测试的主要原因是台积电在检测中“采用了基于 SK 海力士 HBM3E 产品设定的检测标准”。

三星电子同 SK 海力士在 HBM3E 内存的工艺上存在不少差异，比如前者采用 TC-NCF （注：热压非导电薄膜）键合，后者采用 MR-RUF（批量回流模制底部填充），这必然会在一定程度上影响参数。

消息人士认为，如果针对三星电子产品的检测标准有所调整，那三星 HBM3E 内存通过英伟达的供应测试“不成问题”。

三星电子早前表示其 8Hi HBM3E 内存已于上月进入量产阶段，12Hi HBM3E 的量产也将在本季度达成。