西安三星半导体 12 英寸闪存芯片扩建项目取得新进展，项目正式进入主体施工阶段

12 月 11 日消息，今年 10 月，三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备，而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。

中建钢构消息显示，三星（中国）半导体 12 英寸闪存芯片 M-FAB 项目模块已完成首吊，这也标志着项目正式进入主体施工阶段。

公开资料显示，三星（中国）半导体有限公司 2012 年落户西安高新区，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。

该工厂于 2020 年增设了第二期工厂项目，目前已发展成为全球最大的 NAND 制造基地，每月可生产 20 万片 12 英寸晶圆，这占据了三星 NAND 总产量的 40% 以上。

三星西安工厂第一工厂投资 108.7 亿美元（备注：当前约 780.47 亿元人民币），2017 年开始建造的第二工厂，先后投资了 150 亿美元（当前约 1077 亿元人民币）。

三星（中国）半导体公司二期项目位于西安市长安区西太路综合保税区，由三星（中国）半导体有限公司投资建设，总建筑面积约 10.7 万平方米。

官方指出，项目建成投产后将成为全球规模最大的闪存芯片生产基地，为西安市电子信息产业高端集群化发展，打造全球知名的电子信息产业创新高地形成强有力的支撑。

Business Korea 今年 10 月报道称，三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并开始大规模扩张。

消息人士称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工厂陆续引进可生产第 8 代 NAND 的设备，这也被业界视为克服全球 NAND 需求疲软导致产能下降的战略步骤。